上周（6月22日至26日），全球科技股经历了一场名副其实的“压力测试”。
在美股市场，纳斯达克综合指数连续五个交易日收跌，周跌幅达4.6%，是标普500指数跌幅的两倍多。截至6月26日收盘，纳指报25297.62点。费城半导体指数全周重挫7.94%，成为上周美股主要指数中表现最弱的一个。道琼斯指数则相对稳健，周线小幅收涨0.6%。
亚太市场的震荡更为剧烈。韩国综合股价指数（KOSPI）一周内两度触发熔断。6月23日午后，KOSPI盘中暴跌逾8%，触发一级熔断机制，交易暂停20分钟，当日收盘跌幅达9.99%，报8203.84点。三星电子和SK海力士当日分别大跌12.31%和12.47%。6月26日，KOSPI再度暴跌逾8%，再次触发熔断。统计显示，KOSPI自2000年引入熔断机制以来总共只触发过11次全市场熔断，而2026年迄今已发生5次。
AI产业链的深层矛盾
市场人士认为，此轮全球科技股巨震主要来自AI产业链内部的深层矛盾。存储芯片涨价向下游传导，终端产品被迫提价，而业绩空窗期又缺乏基本面锚定，筹码高度拥挤的科技板块因此对任何边际变化都格外敏感。
存储芯片价格的涨势确实令人瞠目。据市场研究机构数据，DRAM价格从2025年三季度到2026年二季度已上涨约4.5倍。2026年二季度，消费性DRAM与NAND价格全面走高，LPDDR5X 12GB内存颗粒价格较一季度大涨89%，SSD均价上涨约50%。花旗预计2026年DRAM均价将上涨200%，NAND均价上涨186%。
涨价的压力终于传导至终端。当地时间6月25日，苹果公司对MacBook、iPad等多款硬件产品实施全球提价，整体涨幅约20%——这是该公司近年来最大规模的一次全球性调价行动。微软同日宣布，Xbox游戏主机将于8月1日起再度提价，部分型号涨幅高达150美元。两家公司给出的理由高度一致：内存和存储芯片成本大幅攀升。
高涨的芯片利润与终端品牌面临的涨价压力，形成了本轮产业链博弈中最鲜明的反差。市场担忧，终端需求若被高昂价格抑制，最终会反向传导至上游。
对于韩国股市的极端行情，业内人士分析认为，KOSPI约60%的权重集中于三星电子和SK海力士两只股票，背后还存在着数百亿美元规模的杠杆ETF复制产品，任何方向的大幅波动均会被成倍放大。此外，高盛大宗经纪策略团队的报告显示，对冲基金的总杠杆率已攀升至历史最高水平，在AI相关持仓中，存储股净多头头寸的增速是半导体或电力板块的2倍。“仓位拥挤本身并不足以构成反向做空的充分理由，但一旦基本面发生转向，极度拥挤的持仓结构将会显著放大下行风险。”
全球资金的新流向
就在科技股巨震之际，一股新的资金流向正在显现。
全球首只内存领域主动管理型ETF——Roundhill Memory ETF（DRAM）近日进行调仓，首次将A股存储龙头兆易创新纳入投资组合，权重为2.91%，位列第八大重仓股。这一配置变化，折射出在全球存储产业格局中，中国半导体企业的市场地位正受到海外资金更进一步的审视与考量。
DRAM基金自4月2日上市以来展现出极强的“吸金”能力，仅用54个交易日规模便突破200亿美元，成为近年来规模增长最快的新发ETF之一。目前，该ETF前十大持仓包括三星电子、美光科技、SK海力士、闪迪、西部数据、希捷科技、兆易创新等全球芯片龙头。
沪上一位基金分析人士表示，DRAM将兆易创新纳入持仓，使得该ETF在全球存储芯片市场拥有了更广泛、更精准的区域代表性。在长鑫存储、长江存储等中国存储龙头尚未上市的背景下，兆易创新作为全球NOR Flash市场前三、中国本土第一的存储标的，成为海外资本在公开市场上可以买入、且市值和出货量具备国际代表性的标的。Choice数据显示，6月29日，兆易创新单日大涨9.09%，年初至今涨幅达292.65%。
存储芯片的超级周期仍在持续。存储器行业顾问、前三星中国高管Ethan Tan预计，2026年第三季度存储价格将环比上涨40%至50%，第四季度再涨30%至40%。全球存储市场的结构性重塑远未结束，而中国存储产业链的身影，正越来越清晰地出现在全球资本的视野之中。